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畢天科技帶您了解MOSFET

返回列表 來源：發(fā)布日期： 2021.06.25

MOSFET全稱Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級MOSFET器件，通常工作電流大于1A。由于功率器件的分類方式非常多樣，且各分類方式的分類邏輯并不存在上下包含的關(guān)系，因此在這里我們從驅(qū)動方式、可控性、載流子類型這三個分類維度將功率MOSFET定義為電壓驅(qū)動的全控式單極型功率器件。
由于功率MOSFET往往追求高頻率與低功耗，且多用作開關(guān)器件，因此N溝道增強(qiáng)型是絕大多數(shù)功率MOSFET的選擇。功率MOSFET自1976年誕生以來，不斷面對著社會電氣化程度的提高所帶來的對于功率半導(dǎo)體的更高性能需求。對于功率MOSFET而言，主要的性能提升方向包括三個方面：更高的頻率、更高的輸出功率以及更低的功耗。
為了實(shí)現(xiàn)更高的性能指標(biāo)，功率MOSFET主要經(jīng)歷了制程縮小、技術(shù)變化、工藝進(jìn)步與材料迭代這4個層次的演進(jìn)過程，其中由于功率MOSFET更需要功率處理能力而非運(yùn)算速度，因此制程縮小這一層次的演進(jìn)已在2000年左右基本上終結(jié)了，但其他的3個層次的演進(jìn)仍在幫助功率MOSFET不斷追求著更高的功率密度與更低的功耗。